キーワードGaN 部局大学院理工学研究科（工学）
発行年
2010 - 2014 4 2015 - 2019 1
キーワード
GaN 5 semipolar 4 MOVPE 2 dislocation 2 light-emitting diode 2 (11–22) 1 ELO 1 HVPE 1 InGaN 1 LED 1 MOCVD 1 SEM 1 XRD 1 cathodoluminescence 1 crack 1 high power 1 r-plane patterned sapphire substrate 1 ray tracing 1 solid state lighting 1 surface morphology 1 {11-22} 1
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種類
学術雑誌論文 5
部局
大学院理工学研究科（工学） 5
検索結果 5 件
登録番号 (降順)
山口大学学術機関リポジトリYUNOCA
A high power InGaN-LED on an m-plane GaN substrate
電子通信学会論文誌 98 巻 5 号
作成者 : 横川 俊哉 | Oya Mitsuaki | Fujikane Masaki 出版者 : 電気学会 発行日 : 2015-08-01
山口大学学術機関リポジトリYUNOCA
Characterization of semipolar {11$ \bar 2 $2} light-emitting diodes using a hole blocking layer
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics 11 巻 3-4 号
作成者 : Nakao Kota | Haziq Muhammad | Okamura Yasumasa | Yamane Keisuke | 岡田 成仁 | 只友 一行 出版者 : WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA 発行日 : 2014-04
山口大学学術機関リポジトリYUNOCA
Epitaxial lateral overgrowth of thick semipolar {11$ \bar 2 $2} GaN by hydride vapor phase epitaxy
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics 11 巻 3-4 号
作成者 : Hashimoto Yasuhiro | Furuya Hiroshi | Ueno Motohisa | 山根 啓輔 | 岡田 成仁 | 只友 一行 出版者 : WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA 発行日 : 2014-04
山口大学学術機関リポジトリYUNOCA
Growth of {11-22} GaN on shallowly etched r-plane patterned sapphire substrates
Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics : PSS 9 巻 3-4 号
作成者 : Furuya Hiroshi | 岡田 成仁 | 只友 一行 出版者 : Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA 発行日 : 2012-03
山口大学学術機関リポジトリYUNOCA
Green light-emitting diodes fabricated on semipolar (11-22) GaN on r-plane patterned sapphire substrate
Physica status solidi. A, Applications and materials science : PSS 209 巻 3 号
作成者 : 岡田 成仁 | 内田 健充 | 三好 清太 | 只友 一行 出版者 : Wiley-VCH 発行日 : 2012-03
関連作成者
岡田 成仁 4 只友 一行 4 山根 啓輔 1 横川 俊哉 1
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