1970 - 1974 2 1995 - 1999 2 2000 - 2004 4 2010 - 2014 4 2015 - 2019 1

GaN 13 RF-MBE 5 semipolar 4 LT-GaN 2 MBE 2 MOVPE 2 cooling process 2 dislocation 2 initial growth conditions 2 light-emitting diode 2 localized exciton 2 nitridation 2 photoluminescence 2 temperature dependence 2 (11–22) 1 AlGaN 1 AlGaN multiple quantum wells 1 ELO 1 GaN single crystal 1 HVPE 1 In doping 1 InGaN 1 LED 1 Lifetime 1 MOCVD 1 SEM 1 Si-doping 1 Time-resolved photoluminescence 1 XRD 1 cathodoluminescence 1 crack 1 high power 1 high-temperature-grown AlN buffer layers 1 homoepitaxial growth 1 lattice polarity 1 r-plane patterned sapphire substrate 1 radiative recombination of free excitons 1 ray tracing 1 removal of the oxide 1 solid state lighting 1 surface morphology 1 surface pre-treatment 1 {11-22} 1

紀要論文 8 学術雑誌論文 5

工学部 8 大学院理工学研究科（工学） 5

田口 常正 6 倉井 聡 4 岡田 成仁 4 只友 一行 4 山田 陽一 3 山根 啓輔 1 横川 俊哉 1

山口大学工学部研究報告 52 巻 2 号 2 山口大学工学部研究報告 50 巻 2 号 2 山口大学工学部研究報告 49 巻 2 号 1 山口大学工学部研究報告 22 巻 1 号 1 山口大学工学部研究報告 48 巻 1 号 1 山口大学工学部研究報告 21 巻 1 号 1