1970 - 1974 2 1995 - 1999 2 2000 - 2004 4

GaN 8 RF-MBE 5 LT-GaN 2 MBE 2 cooling process 2 initial growth conditions 2 localized exciton 2 nitridation 2 photoluminescence 2 temperature dependence 2 AlGaN 1 AlGaN multiple quantum wells 1 GaN single crystal 1 In doping 1 Lifetime 1 Si-doping 1 Time-resolved photoluminescence 1 high-temperature-grown AlN buffer layers 1 homoepitaxial growth 1 lattice polarity 1 radiative recombination of free excitons 1 removal of the oxide 1 surface pre-treatment 1

紀要論文 8

工学部 8

田口 常正 6 倉井 聡 4 山田 陽一 3

山口大学工学部研究報告 52 巻 2 号 2 山口大学工学部研究報告 50 巻 2 号 2 山口大学工学部研究報告 49 巻 2 号 1 山口大学工学部研究報告 22 巻 1 号 1 山口大学工学部研究報告 48 巻 1 号 1 山口大学工学部研究報告 21 巻 1 号 1