2000 - 2004 4

GaN 4 MBE 2 AlGaN 1 AlGaN multiple quantum wells 1 GaN single crystal 1 In doping 1 Lifetime 1 RF-MBE 1 Si-doping 1 Time-resolved photoluminescence 1 high-temperature-grown AlN buffer layers 1 homoepitaxial growth 1 lattice polarity 1 radiative recombination of free excitons 1 removal of the oxide 1 surface pre-treatment 1

紀要論文 4

工学部 4

田口 常正 4 倉井 聡 3 山田 陽一 1

山口大学工学部研究報告 52 巻 2 号 2 山口大学工学部研究報告 50 巻 2 号 2