キーワード
removal of the oxide
部局
発行年
2000 - 2004
1
キーワード
GaN
1
RF-MBE
1
homoepitaxial growth
1
radiative recombination of free excitons
1
removal of the oxide
1
surface pre-treatment
1
種類
紀要論文
1
部局
工学部
1
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山口大学学術機関リポジトリYUNOCA
RF-MBE法ホモエピタキシャル成長におけるGaN基板の成長前表面処理
山口大学工学部研究報告 50 巻 2 号
作成者
: 久保 秀一 | 岡崎 智一 | 真鍋 茂樹 | 倉井 聡 | 田口 常正
出版者
: 山口大学工学部
発行日
: 2000-03
関連作成者
倉井 聡
1
田口 常正
1
関連雑誌
山口大学工学部研究報告 50 巻 2 号
1
