キーワードMOVPE 部局
発行年
1990 - 1994 1 2010 - 2014 3
キーワード
MOVPE 4 semipolar 3 GaN 2 InGaN 1 Raman scattering 1 SEM 1 TEM 1 XRD 1 aluminum gallium arsenide 1 cathodoluminescence 1 dislocation 1 gallium arsenide 1 light-emitting diode 1 misfit dislocation 1 stomic layer epitaxy 1 {11-22} 1
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種類
学術雑誌論文 4
部局
大学院理工学研究科（工学） 4
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登録番号 (降順)
山口大学学術機関リポジトリYUNOCA
Characterization of semipolar {11$ \bar 2 $2} light-emitting diodes using a hole blocking layer
Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics 11 巻 3-4 号
作成者 : Nakao Kota | Haziq Muhammad | Okamura Yasumasa | Yamane Keisuke | 岡田 成仁 | 只友 一行 出版者 : WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA 発行日 : 2014-04
山口大学学術機関リポジトリYUNOCA
Behavior of misfit dislocations in semipolar InGaN/GaN grown by MOVPE
Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics : PSS 9 巻 3-4 号
作成者 : Kuwahara Takaaki | Kuwano Noriyuki | Kurisu Akihiko | 岡田 成仁 | 只友 一行 出版者 : Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA 発行日 : 2012-03
山口大学学術機関リポジトリYUNOCA
Growth of {11-22} GaN on shallowly etched r-plane patterned sapphire substrates
Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics : PSS 9 巻 3-4 号
作成者 : Furuya Hiroshi | 岡田 成仁 | 只友 一行 出版者 : Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA 発行日 : 2012-03
山口大学学術機関リポジトリYUNOCA
Characterization of GaAs and AlGaAs layers grown by laser atomic layer epitaxy
Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers & short notes 29 巻 8 号
作成者 : 三好 正毅 | Iwai Sohachi | Iimura Yasufumi | Aoyagi Yoshinobu | Namba Susumu 出版者 : 応用物理学会 発行日 : 1990
関連作成者
岡田 成仁 3 只友 一行 3 三好 正毅 1
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