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URIhttp://ypir.lib.yamaguchi-u.ac.jp/on/metadata/105
タイトル電流-電圧特性測定による半導体デバイス解析
タイトルヨミデンリュウ-デンアツ トクセイ ソクテイ ニヨル ハンドウタイ デバイス カイセキ
タイトル別表記V-I characteristics measurement and parameter analysis for the semiconductor devices
作成者一番ヶ瀬, 剛
賀屋, 雅樹
作成者ヨミイチバカセ, ツヨシ
カヤ, マサキ
作成者別表記Ichibakase, Tsuyoshi
Kaya, Masaki
著者キーワードV-I characteristics
transport properties
semiconductor device
optical device
資料タイプtext
ファイル形式application/pdf
内容記述(抄録等)Basic characteristics of the electronic devices are able to figure out from V-I characteristics. V-I characteristics analysis is available for observational study in the semiconductor devices, because this method is able to use a number of times without destructive. Much information is able to get from this method in many variant conditions, and this information has data of the internal constitution of semiconductor devices. The results of V-I characteristics measurement and parameter analysis from the semiconductor junction of between B and E terminals on transistor show that internal resistance“R” increases in low current range, and“R”has 3 values pattern. These phenomena arise from carrier density and the internal constitution of semiconductor devices. These results of analysis show that this studying method is quite useful as the internal constitution study in the semiconductor devices. In the future, this studying method will bring the expected results with new functional capability temperature, stress and exposure to light.
出版者大島商船高等専門学校
出版者ヨミオオシマ ショウセン コウトウ センモン ガッコウ
Nii資料タイプ紀要論文
本文言語jpn
ISSN0387-9232
NCIDAN00031668
掲載誌名大島商船高等専門学校紀要
41
開始ページ55
終了ページ61
発行日2008-12
著者版/出版社版出版社版
リポジトリIDOS10041000008
ファイルOS10041000008.pdf ( 1.3MB ) 公開日 2014-04-09
地域区分大島商船高等専門学校